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BMQ4435P
-30V P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- PDFN3.3*3.3封装 VDS=-30V,ID=-40A PMOS
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMQ4435P
- 商品编号
- C48533970
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09886克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用场景。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -40 A
- 典型值:在VGS = -10V、Id = -10A条件下,RDS(ON) = 11mΩ(典型值)
- 典型值:在VGS = -4.5V、Id = -5A条件下,RDS(ON) = 15mΩ(典型值)
- 快速开关
- 低导通电阻
- 无卤素和锑,符合RoHS标准
应用领域
- 开关切换
- 便携式/台式PC的电源管理