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BMQ4435P
-30V P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- PDFN3.3*3.3封装 VDS=-30V,ID=-40A PMOS
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMQ4435P
- 商品编号
- C48533970
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09886克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 15 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 70 mΩ（典型值：55 mΩ）
- 栅极电荷低。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能出色。