温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTTFSSCH0D7N02X
N沟道 25V 310A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：先进的源极朝下中心栅极双冷却封装技术（3.3×3.3mm）实现出色的热传导。超低导通电阻，提高系统效率。低栅极电荷和电容，使驱动和开关损耗最小化。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：高开关频率DC-DC转换。同步整流
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFSSCH0D7N02X
- 商品编号
- C48538038
- 商品封装
- WDFN-9(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.51mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 124pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.16nF |
商品特性
- 采用先进的源极朝下中心栅极双散热封装技术(3.3 x 3.3 mm),具备出色的热传导性能
- 超低的导通电阻RDS(on),可提高系统效率
- 低栅极电荷QG和电容,可将驱动和开关损耗降至最低
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 高开关频率的DC-DC转换
- 同步整流
相似推荐
其他推荐