温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTTFSSH1D3N04XL
N沟道单功率MOSFET，采用先进源极向下封装技术，低导通电阻、低反向恢复电荷、低栅极电荷和电容
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFSSH1D3N04XL
- 商品编号
- C48538174
- 商品封装
- WDFN-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 920pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 采用先进的源极朝下封装技术（3.3×3.3mm），具有出色的热传导性能
- 低导通电阻RDS(on)，可将传导损耗降至最低
- 低反向恢复电荷QRR，具有软恢复特性，可将反向恢复损耗和电压尖峰降至最低
- 低栅极电荷QG和电容，可将驱动和开关损耗降至最低
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 高开关频率的DC-DC转换
- 同步整流器