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HX4259-63-ST
10MHz - 3.0GHz RF开关
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- 描述
- HX4259-63-ST为10MHz-3GHz反射型RF开关，低压CMOS控制，+33.5dBm压缩点，采用UltraCMOS SOI工艺
- 品牌名称
- ZHHXDZ(海芯电子)
- 商品型号
- HX4259-63-ST
- 商品编号
- C48031087
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 10MHz~3GHz | |
| 隔离度 | 30dB | |
| 插入损耗 | 0.6dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 33.5dBm | |
| 工作电压 | 1.8V~3.3V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 集成控制逻辑 |
商品概述
HX4259-63-ST UltraCMOS® 射频开关设计用于满足从 10 MHz 到 3000 MHz 的广泛应用需求。这款反射式开关集成了片上 CMOS 控制逻辑，包含一个低电压工作的 CMOS 兼容控制接口。它可以通过单引脚或互补控制输入轻松管理。在标称 +3 伏电源电压下，其典型输入 1dB 压缩点可达 +33.5 dBm。该产品采用 ZHHXDZ 的专利 UltraCMOS 工艺制造，这是一种基于蓝宝石衬底的独特绝缘体上硅技术变体，结合了 GaAs 的高性能和传统 CMOS 的成本效益与集成能力。
商品特性
- 单引脚或互补 CMOS 逻辑控制输入
- 低插入损耗：在 2000 MHz 时为 0.5 dB，在 1000 MHz 时为 0.35 dB
- 在 1000 MHz 时隔离度为 30 dB
- 高 ESD 耐受能力，达到 2 kV HBM
- 典型输入 1 dB 压缩点为 +33.5 dBm
- 最小电源电压为 1.8V
- 超小型 SOT-363 封装