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STB100N10F7
1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
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- 描述
- N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB100N10F7
- 商品编号
- C490688
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,40A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.369nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，不仅能实现极低的导通电阻，还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的品质因数（FoM）
- 低Crss/Ciss比，具备抗电磁干扰（EMI）能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用