MSB002Y
N沟道 耐压:120V 电流:90A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):120V 连续漏极电流(Id):90A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.0mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MSB002Y
- 商品编号
- C47361212
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.108克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.619nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 924pF |
商品概述
30N06 - TD采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 120V、90A,RDS(on)(典型值)= 6.0 mΩ,VGS = 10 V
- 出色的RDS(on)和低栅极电荷
- 先进的沟槽技术
- 100%保证EAS
应用领域
- DC/DC转换器
- 高频开关与同步
