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MSJ001B
N沟道 耐压:200V 电流:109A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：109A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.6mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MSJ001B
- 商品编号
- C47361215
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.669565克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 109A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.788nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 455pF |
商品概述
AO4828是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
- 200V、109A,RDS(on)(典型值)= 8.6 mΩ(VGS = 10 V 时)
- 出色的 RDS(on) 与低栅极电荷
- 无卤;符合 RoHS 标准
- 100% 保证经 EAS 测试
应用领域
- 电动工具、电动车、机器人中的电机驱动
- DC/DC 与 AC/DC(SR)子系统中的电流开关
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
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