商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 910pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 100V、140A,RDS(on)(典型值)= 3.8 mΩ(VGS = 10 V 时)
- 出色的 RDS(on) 和低栅极电荷
- 无卤;符合 RoHS 标准
- 100% 保证 EAS
应用领域
- 高频开关和同步
- DC/DC 转换器