ASWD-S2-0002-T
低损耗、高隔离度的SOI单刀双掷反射式RF开关,具备增强ESD保护,适用于天线调谐和通用物联网应用
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- 品牌名称
- ABRACON
- 商品型号
- ASWD-S2-0002-T
- 商品编号
- C47342120
- 商品封装
- DFN-6(0.8x1.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 0MHz~3GHz | |
| 隔离度 | 20dB | |
| 插入损耗 | 0.6dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | - | |
| 工作电压 | 1.6V~3.3V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
ASWD - S2 - 0002是一款低损耗、高隔离度的绝缘体上硅(SOI)单刀双掷(SPDT)反射式射频开关,具备超低导通电阻和超高线性度,性能卓越。这些特性使其非常适合用于天线调谐和通用物联网应用。它具有±1.5kV人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护功能,并采用尺寸为1.1mm×0.7mm×0.45mm的紧凑型DFN封装,为高性能射频设计提供了节省空间的解决方案。此外,ASWD - S2 - 0002符合RoHS标准,潮湿敏感度等级(MSL)为3级。
商品特性
- DFN - 6L封装:1.1mm×0.7mm
- 频率范围:直流至3.0GHz
- 低插入损耗:典型值0.37dB,频率范围2.2至2.7GHz
- 高隔离度:典型值25dB,频率范围2.2至2.7GHz
- P0.1dB = +34.5dBm,典型值,频率范围0.8至2.7GHz
- 低控制电压:VCTL,H = 1.8V(最小值),电压工作范围:VDD = 2.8V(典型值)
- 单刀双掷(SPDT)采用通用输入输出(GPIO)控制
- ±1.5kV人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护
- 符合RoHS标准,潮湿敏感度等级(MSL)为3级
应用领域
- 智能手机、平板电脑、个人电脑
- 全球移动通信系统(GSM)/宽带码分多址(WCDMA)/长期演进(LTE)频段和模式切换
- 天线选择/调谐开关
- 射频组合模块(Wi - Fi/蓝牙、LTE/全球导航卫星系统)
- 增强现实(AR)/虚拟现实(VR)、Wi - Fi音箱
- 接入点、路由器和网关


