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CRTT020N04N
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，低导通电阻，具备出色品质因数
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- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CRTT020N04N
- 商品编号
- C47342774
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8676克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 195A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 284W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 189nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 11.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 261pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.429nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品特性
- 使用CRM(CQ)先进沟槽技术
- 极低导通电阻RDS(on)
- 出色的Qg × RDS(on)乘积（品质因数）
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）