AO4812
双N沟道,电流:6A,耐压:30V
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4812
- 商品编号
- C485697
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4812采用先进的沟槽技术，可实现出色的 RDS(on) 和低栅极电荷。这两个MOSFET构成了一个紧凑高效的开关和同步整流器组合，适用于降压转换器。