- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 92mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V；2.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4286采用沟槽MOSFET技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)、Ciss和Coss组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- AO3424
- C0805X104K101T
- MTFC32GAPALBH-IT
- 80HCPS1616CHMGI
- VHF060303HQ1N5ST00
- VHF100505HQR27JT
- VHF060303HQ5N6CT
- VHF100505HQR33JT
- VHF060303HQ5N1ST02
- VHF060303HQ0N6BT
- VHF060303HQ4N3CT
- VHF060303HQ5N6ST02
- VHF060303HQ15NHT
- CBW100505U750T
- VHF060303HQ0N6BT02
- VHF060303HQ6N2BT00
- VHF060303HQ6N2BT02
- VHF060303HQ2N7CT02
- VHF060303HQ2N0BT
- VHF060303HQ1N2CT
- VHF060303HQ2N7BT02