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AO3424
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.8A
- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO3424
- 商品编号
- C485700
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3424采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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