2N6648
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000@3V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V@100mA,10A | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
2N6648、2N6649和2N6650是单片硅p-n-p达林顿晶体管，专为低频和中频功率应用而设计。这些器件的高增益使其能够直接由集成电路驱动。它们与2N6383、2N6384和2N6385互补。
商品特性
- 无需预驱动器即可由集成电路驱动
应用领域
- 功率开关
- 音频放大器
- 锤击驱动器
- 串联和并联稳压器