2N6295
2N6295
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- 2N6295
- 商品编号
- C4366007
- 商品封装
- TO-66(TO-213AA)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 直流电流增益(hFE) | 300@3V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 500uA | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) |
商品概述
专为通用放大器、低频开关和锤击驱动器应用而设计。
商品特性
- 高直流电流增益 —— 在集电极电流（Ic） = 2.0 A直流时，共发射极静态电流放大系数（hFE） = 3000（典型值）
- 低集电极 - 发射极饱和电压 —— 在集电极电流（IC） = 2.0 A直流时，集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)） = 2.0 V直流（最大值）
- 集电极 - 发射极维持电压：集电极 - 发射极截止电压（VCEO(sus)） = 60 V直流（最小值） —— 2N6294、2N6296； = 80 V直流（最小值） —— 2N6295、2N6297
- 内置基极 - 发射极并联电阻的单片结构
应用领域
-通用放大器-低频开关-锤击驱动器