商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 8A | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃@(Tj) |
商品概述
8安培硅NPN达林顿功率晶体管。用作通用开关和放大器应用中的输出器件。RCA1000和1001是单片硅NPN达林顿晶体管，旨在作为输出器件用于中功率应用。这些器件的结构具备良好的正向偏置二次击穿能力。其高增益使其能够直接由集成电路驱动。
商品特性
- 高直流电流增益：在IC = 3 A时，hFE最小值为1000
- 单片结构
应用领域
- 通用开关
- 放大器应用
- 中功率应用