KSH112GTM
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 特征频率(fT) | 25MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 高直流电流增益
- 集电极 - 发射极间内置阻尼二极管
- 引脚成型适用于表面贴装应用（无后缀）
- 直引脚（I-PAK，后缀“- I”）
- 电气特性与常用的TIP112相似