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TS3DDR4000ZBAR
TS3DDR4000 12位1:2高速DDR2/DDR3/DDR4开关/多路复用器
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- 描述
- TS3DDR4000 是一款12位宽总线的1:2或2:1高速DDR2/DDR3/DDR4开关/多路复用器。A端口可以同时切换到B或C端口。设计用于DDR2, DDR3和DDR4内存总线系统。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TS3DDR4000ZBAR
- 商品编号
- C485161
- 商品封装
- NFBGA-48
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 通道数 | 12 | |
| 工作电压 | 2.375V~3.6V | |
| 导通时间(ton) | 65us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 8Ω | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 导通电容(Con) | 1pF | |
| 带宽 | 5.6GHz | |
| 传播延迟(tpd) | 85ps |
商品概述
TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 的高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关，提供 12 位宽总线切换功能。A 端口可同时将所有位切换至 B 端口或 C 端口。TS3DDR4000 专为 DDR2、DDR3 和 DDR4 内存总线系统设计，采用专有架构，可实现高带宽（单端 -3dB 带宽达 5.6 GHz）、低频下低插入损耗以及极低的传播延迟。TS3DDR4000 与 1.8 V 逻辑兼容，所有开关均为双向，增加了设计灵活性。此外，TS3DDR4000 还具备低功耗模式，在此模式下所有通道呈高阻态，器件功耗极低。
商品特性
- 宽 VDD 范围：2.375 V – 3.6 V
- 高带宽：典型值 5.6 GHz（单端）；典型值 6.0 GHz（差分）
- 低开关导通电阻（RON）：典型值 8 Ω
- 低位间偏斜：典型值 3 ps；所有通道最大 6 ps
- 低串扰：1067 MHz 下典型值 -34 dB
- 低工作电流：典型值 40 μA
- 低功耗模式下低电流消耗：典型值 2 μA
- IOFF 保护可防止掉电状态（VDD = 0 V）下的电流泄漏
- 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信号传输
- ESD 性能：
- 3 kV 人体模型（A114B，II 类）
- 1 kV 带电器件模型（C101）
- 8 mm x 3 mm 48 球 0.65 mm 间距 ZBA 封装
应用领域
- NVDIMM 模块
- 企业数据系统和服务器
- 笔记本电脑/台式电脑
- 通用 DDR3/DDR4 信号切换
- 通用高速信号切换