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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJAB25N04A

N沟道功率MOSFET

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描述
使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。可用于各种应用。
商品型号
CJAB25N04A
商品编号
C47089384
商品封装
PDFNWB3.3x3.3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.11782克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))8.4mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)2.893nF
反向传输电容(Crss)154pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)189pF

商品概述

CJAB25N04A采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

-高功率和电流处理能力-负载开关-高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(ON)-符合无铅产品要求-具有高单脉冲雪崩耐量(EAS),稳定性和一致性良好-采用散热性能良好的封装

应用领域

  • 开关电源(SMPS)及通用应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源
  • 电源管理

数据手册PDF