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CJ818B
PNP 电压:30V
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- 描述
- 该器件采用具有“基极岛”布局的低压PNP平面技术制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJ818B
- 商品编号
- C47089393
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.059467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 800mV@2A,20mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
该器件采用具有“基极岛”布局的低压PNP平面技术制造。由此产生的晶体管具有卓越的高增益性能和极低的饱和电压。
商品特性
- 集电极 - 发射极饱和电压极低
应用领域
- 便携式设备的电源管理
- 电池充电应用中的开关稳压器