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CJL8810A
双N沟道MOSFET
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- 描述
- 使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，具有ESD保护。适用于作为单向或双向负载开关，得益于其共漏配置。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJL8810A
- 商品编号
- C47089406
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0564克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 785pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 137pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60 V，漏极电流ID = -2 A，当栅源电压VGS = -10 V时，导通电阻RDS(ON) < 200 mΩ（典型值：180 mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
- 湿度敏感度等级为3级（MSL3）
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