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CJBA3144K

DFN1006-3L 塑料封装 MOSFET

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描述
特性:无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻(RDS(on))的N沟道开关。 可在低逻辑电平栅极驱动下工作。 栅极具有ESD保护。应用:负载/电源开关。 接口开关
商品型号
CJBA3144K
商品编号
C47089425
商品封装
DFN1006-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.011克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)600mA
导通电阻(RDS(on))600mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)275mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@4.5V
输入电容(Ciss)42pF
反向传输电容(Crss)4.7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)9pF

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