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CJBA3144K
DFN1006-3L 塑料封装 MOSFET
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- 描述
- 特性：无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻（RDS(on)）的N沟道开关。 可在低逻辑电平栅极驱动下工作。 栅极具有ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJBA3144K
- 商品编号
- C47089425
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 275mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 42pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
WSK280N06G6采用先进技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至10V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 低导通电阻(RDS(on))的N沟道开关
- 低逻辑电平栅极驱动操作
- 栅极具备静电放电(ESD)保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换