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RU40L10H-VB
1个P沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于多种电源模块。SOP8；P—Channel沟道,-40V；-8A；RDS(ON)=17.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RU40L10H-VB
- 商品编号
- C4355064
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.6mΩ@10V；20.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.28nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 382pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 427pF |
商品特性
- 提供无卤选项
- 沟道型场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC