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RU40L10H-VB
1个P沟道 耐压:40V 电流:14.1A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于多种电源模块。SOP8；P—Channel沟道,-40V；-8A；RDS(ON)=17.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RU40L10H-VB商品编号
C4355064商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 14.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,14.1A |
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