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SUD50P08-25L-E3-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:8.8A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-8.8A；RDS(ON)=250mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SUD50P08-25L-E3-VB商品编号
C4355071商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 250mΩ@10V,8.8A |
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