温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SJ280S-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:9.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单PMOSFET器件，采用Trench技术，广泛应用于各种电子设备和系统中。TO263；P—Channel沟道,-60V；-80A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SJ280S-VB
- 商品编号
- C4355069
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单