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9926-VB
2个N沟道 耐压:20V 电流:7.1A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,20V；7.1A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.6~1.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
9926-VB商品编号
C4355068商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V,7.1A |
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