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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
商品概述
WSP4953是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WSP4953符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了完整的可靠性测试。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 提供环保型器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携电脑（UMPC）和显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关
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