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LND5N65B
1个N沟道 耐压:650V 电流:5A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LND5N65B
- 商品编号
- C483609
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.762克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 730pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低RDS(导通)
- 低栅极电荷（典型值Qg = 14.5 nC）
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器