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LSC65R570GT
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSC65R570GT
- 商品编号
- C483512
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.854克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 570mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 584pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此制成的器件具有极低的导通电阻，特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 超低RDS(ON)
- 超低栅极电荷(典型值 Qg = 15 nC)
- 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)