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WSD4082DN33
双N沟道MOSFET
- 描述
- 类型：双N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：14A@@功率(Pd)：28W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,1A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD4082DN33
- 商品编号
- C46956587
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WSD4082DN33是高性能的沟槽式双N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。 WSD4082DN33符合RoHS和绿色产品要求,100%保证EAS,并通过全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证EAS
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 负载点(POL)应用
- 主板/显卡/Vcore
- 负载开关
- 开关电源(SMPS)二次侧同步整流