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WSP4868
双N沟道MOSFET
- 描述
- 类型：双N沟道@@漏源电压(Vdss)：30V@@连续漏极电流(Id)：12A@@功率(Pd)：2.5W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13mΩ@10V,2A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP4868
- 商品编号
- C46956590
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 102pF |
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