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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSP6949

双N沟道MOSFET

描述
类型:双N沟道@@漏源电压(Vdss):60V@@连续漏极电流(Id):6.8A@@功率(Pd):2.5W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,6.3A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSP6949
商品编号
C46956588
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.188533克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))43mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)846pF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)65pF

商品概述

WSP6949是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSP6949符合RoHS和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,并通过了全面的功能可靠性认证。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 超低栅极电荷
  • 出色的dv/dt效应抑制能力
  • 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
  • 提供绿色环保器件

应用领域

  • 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)和显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
  • 网络直流-直流电源系统
  • 负载开关

数据手册PDF