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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSP4986

双N沟道MOSFET

描述
类型:双N沟道@@漏源电压(Vdss):40V@@连续漏极电流(Id):12A@@功率(Pd):2.5W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13.7mΩ@10V,2A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSP4986
商品编号
C46956589
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.189667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

WSP4986是一款高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷特性。 WSP4986符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备完整的可靠性认证。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 超低栅极电荷
  • 出色的CdV/dt效应抑制
  • 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
  • 提供绿色环保器件

应用领域

  • 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
  • 网络直流-直流电源系统
  • 负载开关

数据手册PDF