DMG3406L-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
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- 描述
- 这款 MOSFET 旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG3406L-13
- 商品编号
- C481695
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 770mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 495pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个10000个/圆盘
总价金额:
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