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- 焊盘图
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TP65H030G4PQS-TR
SuperGaN氮化镓场效应晶体管，常关型器件，采用第四代增强平台，TOLL封装
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- TP65H030G4PQS-TR
- 商品编号
- C46642671
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.91克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | D-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 127pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ |
商品概述
TP65H030G4PQS 是一款 650V、30mΩ 的氮化镓场效应晶体管，采用常关型设计，基于瑞萨电子的第四代增强型 SuperGaN® 平台。该器件将先进的高压氮化镓高电子迁移率晶体管与低压硅基 MOSFET 相结合，提供卓越的性能、标准驱动兼容性、易于采用和高可靠性。第四代增强型 SuperGaN® 平台采用先进的外延技术和专利设计，简化了可制造性，同时通过更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷，实现了相较于硅基器件的效率提升。
商品特性
- 超快开关的第四代增强型氮化镓技术
- 符合 JEDEC 标准的氮化镓技术
- 动态导通电阻在生产中进行测试
- 降低的交叉损耗
- 可忽略的反向恢复电荷
- 符合 RoHS 标准且采用无卤素封装
应用领域
- AI 数据中心和电信电源
- 电动出行充电
- 光伏逆变器
- 不间断电源
- 电池储能系统