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IPW60R024CM8XKSA1实物图
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IPW60R024CM8XKSA1

IPW60R024CM8XKSA1

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商品型号
IPW60R024CM8XKSA1
商品编号
C46642973
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.55克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)431W
阈值电压(Vgs(th))4.2V
栅极电荷量(Qg)122nC
属性参数值
输入电容(Ciss)5.382nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)66pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

基于英飞凌(Infineon)世界级的超级结MOSFET平台构建,集成了快速体二极管,适用于广泛的应用场景。它能够以尽可能低的系统成本实现最高的功率密度,并具备卓越的可靠性。该产品丰富了英飞凌的宽禁带(WBG)产品系列,是600 V CoolMOSTM 7 MOSFET系列的换代产品。

商品特性

  • 同类最佳的超级结MOSFET性能
  • 具备出色的换向鲁棒性,适用于多种硬开关和软开关应用
  • 集成快速体二极管和静电放电(ESD)保护
  • .XT互连技术,实现同类最佳的热性能

应用领域

  • 数据中心、人工智能服务器、电信电源
  • 微型和家用混合逆变器
  • 便携式和家用储能、不间断电源(UPS)
  • 电动汽车充电、轻型电动车、电动叉车
  • 高压固态配电
  • 家用和专业工具

数据手册PDF