嘉立创上市
购物车0
IPW60R099CM8XKSA1引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPW60R099CM8XKSA1

N沟道 600V 29A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
IPW60R099CM8XKSA1
商品编号
C46642983
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.55克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)29A
导通电阻(RDS(on))83mΩ@10V
耗散功率(Pd)176W
阈值电压(Vgs(th))4.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)31nC
输入电容(Ciss)1.33nF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)18pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

该产品基于英飞凌世界级的超结MOSFET平台构建,集成了快速体二极管,适用于广泛的应用领域。它能够在最低系统成本下实现最高的功率密度,并具备卓越的可靠性。该产品增强了英飞凌的宽禁带半导体产品组合,是600V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的后续产品。

商品特性

  • 同类SJ MOSFET性能,能够应对广泛的硬开关和软开关应用,并具备出色的换向鲁棒性
  • 集成快速体二极管和ESD保护
  • 采用XT互连技术,实现同类热性能

应用领域

  • 数据中心、AI服务器、电信电源
  • 微型和住宅混合逆变器
  • 便携式和住宅储能、UPS
  • EV充电、轻型电动车、电动叉车
  • 高压固态配电
  • 家用和专业工具

数据手册PDF