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MSHM30P32
P沟道 30V 32A
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- 描述
- 该器件是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。该器件符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSHM30P32
- 商品编号
- C46643167
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品概述
该器件是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。 该器件符合RoHS和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- RDS(ON) = 20 mΩ @ VGS = -10 V
- 超低栅极电荷
- 出色的降低CdV/dt效应能力
- 100%保证具有抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
-主板/显卡/内核电压-负载点应用-负载开关-LED应用