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TP65H100G4PS
常关型SuperGaN氮化镓场效应晶体管，采用第四代技术，TO-220封装
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- TP65H100G4PS
- 商品编号
- C46642546
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 65.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 818pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 53pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 92mΩ |
商品概述
TP65H100G4PS 是一款 650V、92mΩ 的常关型氮化镓场效应晶体管，采用第四代技术平台。该器件将先进的高压氮化镓高电子迁移率晶体管与低压硅金属氧化物半导体场效应晶体管相结合，提供了卓越的可靠性和性能。第四代平台采用先进的外延和专利设计技术，通过更低的栅极电荷、输出电容、交越损耗和反向恢复电荷，在简化可制造性的同时，提升了相对于硅器件的效率。
商品特性
- 第四代技术
- 符合 JEDEC 标准的氮化镓技术
- 动态导通电阻经生产测试
- 稳健的设计，具备宽栅极安全裕度和瞬态过压能力
- 极低的反向恢复电荷
- 降低的交越损耗
- 符合 RoHS 标准且采用无卤素封装
应用领域
- 消费电子
- 电源适配器
- 低功率开关电源
- 照明