温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DO4435
P沟道MOSFET
- 描述
- P管/-40V/-7.2A/45mΩ/(典型36mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4435
- 商品编号
- C46598087
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.033nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -40 V,漏极电流(ID) = -7.2 A,在栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 45 mΩ(典型值:36 mΩ)
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能优异