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DOS10P04
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-40V/-10A/15mΩ/(典型11mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS10P04
- 商品编号
- C46598088
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.995nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 242pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
商品特性
- VDS = -40 V,ID = -10 A,RDS(ON) < 15 m Ω(在 VGS = -10 V 时)(典型值:11 m Ω )
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的优质封装。