温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOS5P06
P沟道MOSFET
- 描述
- P管/-60V/-5A/100mΩ/(典型80mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS5P06
- 商品编号
- C46598089
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = -60 V,ID = -5 A,RDS(ON) < 100 m Ω(VGS = -10 V 时,典型值为 80 m Ω)
- 低栅极电荷。
- 有环保器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 封装优良,散热性好。