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DOS9N10
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET
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- 描述
- SGT工艺/N管/100V/9A/20mΩ/(典型16mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS9N10
- 商品编号
- C46598092
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 918pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 517pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on),可广泛应用于各种领域。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 9 A,在栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ(典型值:16 mΩ)
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 采用散热性能良好的封装
- 湿度敏感度等级为3级(MSL3)
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