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FQPF6N80C
N沟道 耐压:800V 电流:7A
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- 描述
- 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FQPF6N80C
- 商品编号
- C46596290
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.828克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 7.0A、800V,VGS = 10V时,RDS(on)(典型值) = 1.4Ω
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 有源功率因数校正