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IXFH10N80P
800V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 100%雪崩测试。 漏源击穿电压（BVDSS）：800V，漏极电流（ID）：10A。 导通电阻（RDS(on)）：最大1.0Ω（VGS = 10V时）。 无与伦比的栅极电荷：典型值44nC
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IXFH10N80P
- 商品编号
- C46596293
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品特性
- 低固有电容
- 出色的开关特性
- 扩展的安全工作区
- 100%雪崩测试
- BVDSS = 800V,ID = 10A
- RDS(导通):1.0 Ω(最大值)@VG = 10V
- 无与伦比的栅极电荷:Qg = 44nC(典型值)
应用领域
- 功率因数校正（PFC）
- 太阳能/可再生能源/不间断电源（UPS）
- 充电器
- 电源
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