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SNCE80T560F-JSM
800V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 100%雪崩测试。 BVDSS = 800V，ID = 10A。 静态漏源导通电阻RDS(on)：最大1.0Ω（@VG = 10V）。 无与伦比的栅极电荷：典型值Qg = 44nC
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SNCE80T560F-JSM
- 商品编号
- C46596291
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.821克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
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