AO3401

AO3401

描述

该P沟道MOSFET最大漏极电流（ID）为5A，漏源击穿电压（VDSS）达30V，导通电阻（RDS(ON)）典型值为50mΩ，在栅源电压（VGS）为12V时可实现高效导通。器件采用P沟道结构，适用于需要高侧开关或电源路径控制的电路配置，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统能效。该MOSFET可广泛应用于便携式设备、消费类电子产品及各类低压电源管理场景中，满足对紧凑布局与稳定性能的需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AO3401

商品编号

C46549986

商品封装

SOT-89​

包装方式

编带

商品毛重

0.094472克(g)