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AO3401
P沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 该P沟道MOSFET最大漏极电流（ID）为5A，漏源击穿电压（VDSS）达30V，导通电阻（RDS(ON)）典型值为50mΩ，在栅源电压（VGS）为12V时可实现高效导通。器件采用P沟道结构，适用于需要高侧开关或电源路径控制的电路配置，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统能效。该MOSFET可广泛应用于便携式设备、消费类电子产品及各类低压电源管理场景中，满足对紧凑布局与稳定性能的需求。
- 商品型号
- AO3401
- 商品编号
- C46549986
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094472克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
AO3401采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下运行。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -5A
- 当栅源电压（VGS） = -10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 45mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET