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AO3401

P沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和开关应用

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描述: 该P沟道MOSFET最大漏极电流（ID）为5A，漏源击穿电压（VDSS）达30V，导通电阻（RDS(ON)）典型值为50mΩ，在栅源电压（VGS）为12V时可实现高效导通。器件采用P沟道结构，适用于需要高侧开关或电源路径控制的电路配置，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统能效。该MOSFET可广泛应用于便携式设备、消费类电子产品及各类低压电源管理场景中，满足对紧凑布局与稳定性能的需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AO3401
商品编号: C46549986
商品封装: SOT-89
包装方式: 编带
商品毛重: 0.094472克(g)

商品参数

参数完善中

AO3401采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下运行。该器件适用于电池保护或其他开关应用。