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BMD60N600C1
N沟道 600V 8A
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- 描述
- 超结 MOSFET,600V,8A,600mΩ@10V
- 商品型号
- BMD60N600C1
- 商品编号
- C46472750
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
商品概述
BMD60N600C1是一款功率MOSFET,采用了Bestirpower先进的超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,它能提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰(EMI)的优势,还具备低开关损耗的特点。
商品特性
- 由于极低的品质因数(FOM)Rdson*Qg和Eoss,损耗极低。
- 具有极高的换向耐用性。
应用领域
- 功率因数校正(PFC)。
- 正弦脉宽调制(SPWM)。
- 液晶电视(LCD TV)。
- 照明。
- 不间断电源(UPS)。