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BCZ120N32W1
BCZ120N32W1
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- 描述
- SiC MOSFET,1200V, 32mΩ@18V
- 商品型号
- BCZ120N32W1
- 商品编号
- C46472754
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 耗散功率(Pd) | 348W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.812nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 111pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ |
商品特性
- 高开关速度与低栅极电荷
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复电荷
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 电机驱动
- 高压DC/DC转换器