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BML60N120UC1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BML60N120UC1

BML60N120UC1

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描述
超结 MOSFET,600V,23A,120mΩ@10V
商品型号
BML60N120UC1
商品编号
C46472751
商品封装
DFN-8(8x8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.286克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
耗散功率(Pd)152W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)53nC
输入电容(Ciss)2.38nF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

BML60N120UC1 是一款功率 MOSFET,采用了 Bestirpower 先进的超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低 EMI 的优势,还具有低开关损耗的特点。

商品特性

-超快体二极管。-由于极低的品质因数 Rdson*QG 和 Eoss,损耗极低。-极高的换向鲁棒性。-符合 JEDEC 工业级应用标准。

应用领域

-交流/直流电源。-电脑电源。-电信/服务器。-太阳能逆变器。

数据手册PDF